74AUP2G08提供双路2输入与功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PTVS6V5P1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器
• BCV63B - NPN通用双晶体管
• TEA1731TS - 低压启动的在定频/CCM下工作的反激控制器
• 74HC10PW - 三路3输入与非门
• 74LVC2G74GM - 带设置和复位功能的单频D型触发器；正沿触发器
• BZX84J-C2V4 - 单倍齐纳二极管
• HEF4069UBTT - 六频逆变器
• PZU16B3 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BF908R - N沟道双栅极MOSFET
• BUK7Y20-30B - N沟道TrenchMOS标准电平FET