74LVC3G04提供三个反相缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将这些器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BUK6C2R1-55C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• BLL8H0514L-130 - LDMOS driver transistor
• 74AHC14BQ - 十六进制反相施密特触发器
• BZB984-C4V7 - 双倍稳压器二极管
• BLF7G20L(S)-200 - 功率LDMOS晶体管
• BLF7G24L(S)-100 - 功率LDMOS晶体管
• BUK768R3-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BZX585-B3V9 - 稳压器二极管
• TFA9879HN - 适合便携式应用且带数字输入的单声道BTL D类音频放大器
• PSMN1R1-30EL - N沟道30 V 1.3 m?逻辑电平MOSFET，采用I2PAK封装