74LVC2G04提供双路反相缓冲器。

输入可从3.3 V器件或5 V器件驱动。这些特性允许在3.3 V和5 V混合电压环境中使用这些器件。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成损坏。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 与5 V逻辑器件连接的5 V容压输入
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动（VCC = 3.0 V）
• CMOS低功耗
• 锁存性能超过250 mA
• 直接与TTL电平接合
• 输入接受高达5 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• NVT2003DP - 适用于开漏和推挽应用的双向电压电平变换器
• BLF6G27-10(G) - WiMAX功率LDMOS晶体管
• BZX585-B7V5 - 稳压器二极管
• PZU18B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BCX55 - 60 V，1 A NPN中等功率晶体管
• BUK763R1-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PUMD15 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 4.7 kΩ
• BZT52H-B15 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• 74AUP3G04GD - 低功耗三路反相器
• BUK714R1-40BT - N沟道TrenchPLUS标准电平FET