74LVC3G17提供三个带施密特触发器输入的非反相缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将74LVC3G17用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 适用于高噪声环境的波形和脉冲整形器

• BZT52H-C62 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• 1PS88SB48 - 通用肖特基二极管
• PEMH4 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 10 kOhm，R2 = 开路
• PCF85063TP - 微小封装实时时钟/日历
• TJA1022T - 双LIN 2.2/SAE J2602收发器
• PMV40UN2 - 30 V，N沟道Trench MOSFET
• 74ALVCH16244DGG - 2.5 V / 3.3 V 16位缓冲器/线路驱动器（3态）
• BUK6212-40C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• PESD3V3S2UAT - 采用SOT23封装的双ESD保护二极管
• PCA9955TW - 16通道Fm+ I2C总线57 mA恒流LED驱动器