74LVC2G86提供双路2输入异或门。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将这些器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• TDZ18J - 单倍齐纳二极管
• 74CBTLV3125 - 4位总线开关
• 74HC2G00DC - 双路2输入与非门
• PCAL9538APW - 带有中断、复位和灵活I/O的低电压8位I2C总线和SMBus低功率I/O端口
• 74LVCH16245AEV - 16位总线收发器，具有方向针脚；5 V容压；3态
• NZX9V1A - 单倍齐纳二极管
• PCA9509AGM - 电平变换I2C总线/SMBus转发器
• SAF1760BE - 适用于嵌入式应用的高速通用串行总线主机控制器
• PESD3V3L5UY - 低电容单向五倍ESD保护二极管阵列
• PMDPB70XPE - 20 V双P沟道Trench MOSFET