74LVC2G66是低功耗、低电压、高速硅栅CMOS器件。

74LVC2G66提供两个单刀单掷模拟开关功能。每个开关都具有两个输入/输出终端（nY和nZ）以及一个有源高电平使能输入（nE）。nE为低电平时，模拟开关会被关断。

使能输入的施密特触发器动作使电路在1.65 V至5.5 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • 7.5 Ω（典型值）（VCC = 2.7 V时）
  • 6.5 Ω（典型值）（VCC = 3.3 V时）
  • 6 Ω（典型值）（VCC = 5 V时）
• 32 mA的开关电流能力
• 高抗噪性
• CMOS低功耗
• 3.3 V时的TTL接口兼容性
• 锁存性能满足JESD78 I类的要求
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 使能输入可接受最高达5.5 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃

• 74LVT16373ADL - 3.3V LVT 16位D型透明锁存器（3态）
• BUK7E1R9-40E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74HC02PW - 四路2输入或非门
• GTL2012DP - 2位LVTTL至GTL收发器
• PZU7.5B2A - 单倍齐纳二极管
• 74ABT08PW - 四路2输入与门
• 74HC244DB - 八进制缓冲器/线路驱动器；3态
• PEMH13 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BC846AW - 65 V，100 mA NPN通用晶体管
• BZX84-A51 - 稳压器二极管