74AUP2G08提供双路2输入与功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AUP1G38GN - 低功耗2输入与非门（开漏）
• PESD3V3L2BT - 采用SOT23封装的低电容双向双ESD保护二极管
• BZX79-C33 - 稳压器二极管
• 74HC(T)1G32 - 2输入或门
• 74HC27DB - 三路3输入或非门
• 74ALVC574D - 八频D型触发器；正沿触发器（三态）
• BUK9225-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• MF3ICDH2101DUD - MIFARE DESFire EV1非接触式多用途芯片
• 74AUP1Z04 - 低功耗晶体驱动器，带使能和内部晶体管
• BLF888B - UHF功率LDMOS晶体管