74ABT162245A高性能BiCMOS器件结合了低静态和动态功耗以及高速。

74ABT162245A器件是16位收发器，在发送和接收方向上都具有非反相3态总线兼容输出。控制功能实施可最大限度减少外部定时要求。该器件具有两个可实现轻松级联的输出

使能（1OE，2OE）输入以及两个可实现直接控制的直接（1DIR，2DIR）输入。

74ABT162245A设计为在A、B两个端口上的高低输出结构中都具有30 ?串联电阻。这种设计可降低内存地址驱动器、时钟驱动器以及总线接收器/发射器等应用中的噪声。

74ABT162245A与74ABT16245A-1相同。器件编号已经更改为反映行业标准。有两个选项，74ABT162245A不具有总线保持特性，74ABTH162245A具有总线保持特性。

• 16位双向总线接口
• 上电3态
• 多个VCC和GND针脚可减少开关噪声
• 3态缓冲器
• 输出能力：+12 mA / -32 mA
• 闭锁保护超过500mA，符合JEDEC Std 17标准
• ESD保护根据MIL STD 883方法3015超过2000 V，根据机器模型则超过200 V
• 与74ABT16245A-1相同的部分
• 74ABTH162245A集成了总线保持数据输入，无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入

• BST39 - NPN高压晶体管
• PDTB1xxxT series - 500 mA、50 V PNP配电阻晶体管
• BGA7127 - 400 MHz至2700 MHz 0.5 W高线性度硅放大器
• BZV49-C15 - 稳压器二极管
• BLF10M6LS160 - 功率LDMOS晶体管
• PCA9543APW - 带有中断逻辑和复位的2通道I2C总线开关
• BZX79-B16 - 稳压器二极管
• TEA1723BT - 适用于11 W应用、集成功率MOSFET通过高压启动的反激控制器，f~burst = 905 Hz
• BZX384-B7V5 - 稳压器二极管
• 74AUP1G125GX - 低功耗缓冲器/线路驱动器；3态