74LVC2G66是低功耗、低电压、高速硅栅CMOS器件。

74LVC2G66提供两个单刀单掷模拟开关功能。每个开关都具有两个输入/输出终端（nY和nZ）以及一个有源高电平使能输入（nE）。nE为低电平时，模拟开关会被关断。

使能输入的施密特触发器动作使电路在1.65 V至5.5 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • 7.5 Ω（典型值）（VCC = 2.7 V时）
  • 6.5 Ω（典型值）（VCC = 3.3 V时）
  • 6 Ω（典型值）（VCC = 5 V时）
• 32 mA的开关电流能力
• 高抗噪性
• CMOS低功耗
• 3.3 V时的TTL接口兼容性
• 锁存性能满足JESD78 I类的要求
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 使能输入可接受最高达5.5 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃

• TEF6617T - 低中频、免校准模拟汽车无线电调谐器IC
• PCAL9539APW - 带有中断和复位的低电压16位I2C总线和SMBus低功率I/O端口
• PZU10B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BUK7Y19-100E - N沟道100 V，19 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• 74HC175D - 四路D型触发器，带复位功能；正边沿触发
• PUMD18 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 10 kΩ
• 74HCT7541PW - 八进制施密特触发缓冲器/线路驱动器；3态
• PBSS4260PANP - 60 V，2 A NPN/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74HC2G17GW - 双路非反相施密特触发器
• 74HC241DB - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态