74LVC2G66是低功耗、低电压、高速硅栅CMOS器件。

74LVC2G66提供两个单刀单掷模拟开关功能。每个开关都具有两个输入/输出终端（nY和nZ）以及一个有源高电平使能输入（nE）。nE为低电平时，模拟开关会被关断。

使能输入的施密特触发器动作使电路在1.65 V至5.5 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • 7.5 Ω（典型值）（VCC = 2.7 V时）
  • 6.5 Ω（典型值）（VCC = 3.3 V时）
  • 6 Ω（典型值）（VCC = 5 V时）
• 32 mA的开关电流能力
• 高抗噪性
• CMOS低功耗
• 3.3 V时的TTL接口兼容性
• 锁存性能满足JESD78 I类的要求
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 使能输入可接受最高达5.5 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃

• 74HCT3G16DC - 三路缓冲器门
• 74LVCU04A - 六位元反相器
• 2PD601ARW - NPN通用晶体管；50 V，100 mA
• BUK7Y153-100E - N沟道100 V，153 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• 74LVC3G06GT - 三路反相器，带开漏输出
• 74AHCT594BQ - 8位移位寄存器，带输出寄存器
• TDA3681J - 带开关和启动缓冲器的多路电压稳压器
• PEMB9 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BLF7G10L-250 - 功率LDMOS晶体管
• BUK7212-55B - N沟道TrenchMOS标准电平FET