74LVC125A由四个带3态输出(nY)的非反相缓冲器/线路驱动器组成，由输出使能输入(nOE)进行控制。nOE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。禁用时，可以向输出施加高达5.5 V的电压。

• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 2.3 V至3.6 V的宽电源电压范围
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• 符合JEDEC标准JESD8-B/JESD36
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-C/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-B超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BSS84AKS - 50 V，160 mA双P沟道Trench MOSFET
• PEMD20 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm
• PCA9564BS - 并行总线至I2C总线控制器
• PMV30XPEA - 20 V, P-channel Trench MOSFET
• PHP28NQ15T - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• NZH30C - 单倍齐纳二极管
• BC857BS - PNP通用双晶体管
• 74LVC374APW - 带5 V容压输入/输出的八频D型触发器；正沿触发器（三态）
• 74LVTH125BQ - 3.3 V四路缓冲器；3态
• PSMN040-100MSE - N沟道100 V 36.6 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK33封装，专为高功率PoE应用而设计