74LVC125A由四个带3态输出(nY)的非反相缓冲器/线路驱动器组成，由输出使能输入(nOE)进行控制。nOE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。禁用时，可以向输出施加高达5.5 V的电压。

• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 2.3 V至3.6 V的宽电源电压范围
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• 符合JEDEC标准JESD8-B/JESD36
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-C/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-B超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PSMN7R0-30YLC - N沟道30 V 7.1 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• 74HC132D - 四路2输入与非施密特触发器
• 74HC573BQ - 八进制D型透明锁存器；3态
• PDTC123JMB - NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BZX84-C5V1 - 稳压器二极管
• PTN3361BBS - 带有加密狗检测支持和主动DDC缓冲器的HDMI/DVI电平切换器
• BLF183XRS - LDMOS功率晶体管
• PZU10B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BZT52H-B27 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• CBT16212DL - 24位总线交换开关，具有12位输出使能