74LVC2G38提供一个2输入与非功能。

74LVC2G38器件的输出为开漏且可以连接到其它开漏输出，以实施低电平有效有线OR或高电平有效有线AND功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将这些器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM EIA/JESD22-A114F超过2000 V
  • MM EIA/JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 开漏输出
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BZX884-B5V1 - 稳压器二极管
• PZU3.0B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• 74AXP1G09GN - 低功耗2输入与门，带开漏输出
• 74LVC3G34GS - 三路缓冲器
• 74LVC2G07 - 缓冲器，带开漏输出
• BUK964R2-60E - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• BZA800AVL series - 四倍低电容ESD抑制器
• PZU3.3BL - 单倍齐纳二极管
• BLS7G2325L-105 - 功率LDMOS晶体管
• BUK7675-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET