74AUP1G132提供单路2输入与非施密特触发器功能，可接受标准输入信号。该类器件能将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

输入针对正向和负向信号在不同点进行切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 波形和脉冲整形器
• 无稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• BC55PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A NPN medium power transistors
• PZU5.6B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• TDA10026HN - 集成带外接收器的单电缆解调器
• PDTA114E series - PNP配电阻晶体管；R1 = 10 k?；R2 = 10 k?
• 74LVC2G08GT - 双路2输入与门
• PMBT4401YS - 40 V, 600 mA, double NPN switching transistor
• PMCM4401VPE - 12 V, P-channel Trench MOSFET
• BCP52-16 - 60 V，1 A PNP中等功率晶体管
• PMZ290UNE2 - 20 V, N-channel Trench MOSFET
• PBSS4440D - 40 V NPN低VCEsat (BISS)晶体管