74LVC2G34提供两个缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C。

• PUMB2 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kΩ，R2 = 47 kΩ
• PCA9500 - 带有2-kbit EEPROM的8位I2C总线和SMBus I/O端口
• 74ALVC573PW - 八进制D型透明锁存器；3态
• 74LVC2G08GN - 双路2输入与门
• PSMN017-80BS - N沟道80 V 17 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• 74CBTLVD3245PW - 8位电平转换总线开关，具有输出使能
• NX3L2T384GT - 双低电阻单刀双掷模拟开关
• PZU4.3B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PCA9952; PCA9955 - 16通道Fm+ I2C总线57 mA恒流LED驱动器
• BAT120S - 双倍肖特基势垒二极管