74LVC2G34提供两个缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C。

• NX3P2902BUK - 逻辑控制的高侧电源开关
• BZV90-C16 - 稳压器二极管
• 74AUP1Z125GF - 低功耗晶体驱动器，带使能和内部晶体管；3态
• PZU5.1B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• 74HC191DB - 可预置同步4位二进制上行/下行计数器
• PZU5.6B1A - 单倍齐纳二极管
• PBHV9560Z - 600 V、0.5 A PNP高压低VCEsat (BISS)晶体管
• PTVS24VP1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• BLA6H1011-600 - LDMOS avionics power transistor
• PBSS303PX - 30 V、5.1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管