74LVC2G08提供一个2输入与门功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将74LVC2G08用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74ALVC245 - 八进制总线收发器；3态
• TEA172x - 集成功率MOSFET通过高压启动的反激控制器，适用于最高11 W的低功率应用
• 74LVC2G07GN - 缓冲器，带开漏输出
• PBSS3515VS - 15 V低VCEsat PNP双晶体管
• PESD5V0L5UK - 低电容单向五倍ESD保护二极管阵列的Basic_type_numbers：PESD3V3L5UK、PESD5V0L5UK
• 74LVC2G241GF - 双路缓冲器/线路驱动器；3态
• 2PD601ARW - NPN通用晶体管；50 V，100 mA
• BUK9245-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74AUP1G373GF - 低压D型透明锁存器；3态
• NZH8V2B - 单倍齐纳二极管