74LVC2G32提供一个2输入或门功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将这些器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 掉电模式中的5 V容压输出
• 高抗噪性
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PDTB123TT - PNP 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路
• 74AVCH20T245DGG - 20位双电源转换收发器，带可配置电压转换功能；3态
• HTMS8001FTB - HITAG μ (ISO14223)和(ISO11784/85)应答器IC
• 74AUP2G79GN - 低功耗双频D型触发器；正沿触发器
• PBSS5520X - 20 V、5 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74AUP2GU04 - 低功耗双路非缓冲反相器
• PZT2907A - PNP开关晶体管
• PDTC123YMB - NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 10 kΩ
• PDTC123TU - NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路
• PSMN016-100PS - N沟道100 V 16 m?标准电平MOSFET，采用TO-220封装