74LVC2G241是带3态输出的双路非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入1OE和2OE控制。

针脚1OE处的高电平使输出1Y呈高阻抗关断状态。 针脚2OE处的低电平使输出2Y呈高阻抗关断状态。

所有输入处的施密特触发器动作使电路高度容许较慢的输入上升和下降时间。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将74LVC2G241用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BZT52H-C39 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• BUK9275-100A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74VHC(T)541 - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• UJA1069 - LIN故障安全系统基础芯片
• NPIC6C4894D - Power logic 12-bit shift register; open-drain outputs
• PESD24VS1ULD - 单向ESD保护二极管
• 74AHCT74D - 带设置和复位功能的八频D型触发器；正沿触发器
• PSMN8R7-80PS - N沟道80 V 8.7 m?标准电平MOSFET，采用TO-220封装
• PSMN2R1-40PL - N沟道40 V，2.2 m?逻辑电平MOSFET，采用SOT78封装
• BZT52H-B36 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管