74AUP2G02提供双路2输入或非功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PZU5.1B2A - 单倍齐纳二极管
• PCF8575TS - I2C总线远程16位I/O扩展器
• BUK9Y4R8-60E - N-channel 60 V, 4.8 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56
• 74LVC30ABQ - 8-input NAND gate
• SC16C554B/554DB - 5 V、3.3 V和2.5 V的四通道UART，5 Mbit/s（最快），带有16字节FIFO
• PCA9536 - 4位I2C总线和SMBus I/O端口
• PSMN1R2-30YLC - N沟道30 V 1.25m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• BGU7060 - Analog high linearity low noise variable gain amplifier
• PEMH11; PUMH11 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 10 k?
• PTVS58VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器