74LVC1G10提供一个低功耗、低电压的单路3输入与非门。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）。
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• PCA9512AD - 电平切换可热插拔的I2C总线和SMBus总线缓冲器
• 74HC4050D - 十六进制非反相高电平至低电平转换器
• HEF4016B - 四路双向开关
• 74HC367PW - 六位元缓冲器/线路驱动器；3态
• 74CBTLVD3861PW - 10位电平转换总线开关，具有输出使能
• BUK9Y14-40B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PESD24VS4UD - 采用SOT457封装的四倍ESD保护二极管阵列
• PMEG6030EP - 3 A低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管
• BLF8G27LS-150GV - 功率LDMOS晶体管
• 74ALVC00 - 四路2输入与非门