74LVC2G14提供两个带施密特触发器输入的反相缓冲器。该类器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 无限上升和下降时间
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C。

• 波形和脉冲整形器
• 非稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• BUK763R8-80E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• P5CD012X0 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• SC16C850SVIBS - 1.8 V的单通道UART，20 Mbit/s（最快），带有128字节FIFO、红外(IrDA)以及XScale VLIO总线接口
• 74HC(T)27 - 三路3输入或非门
• 74HC107PW - 带复位功能的双频JK触发器；负沿触发器
• BSS138PW - 60 V，360 mA N沟道Trench MOSFET
• 74LVC2G06GM - 反相器，带开漏输出
• PMEG060V050EPD - 60 V, 5 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier
• SAF3607EL - Digital radio and processing system-on-chip
• BAS321 - 通用二极管