74LVC2G07提供两个非反相缓冲器。

该器件的输出为开漏且可以连接到其它开漏输出以实施低电平有效有线OR或高电平有效有线AND功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• -24 mA输出驱动 (VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BCX52 - 60 V，1 A PNP中等功率晶体管
• BUK98180-100A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• NX3L2G66 - 双低电阻单刀单掷模拟开关
• PSMN6R3-120PS - N沟道120 V 6.7 mΩ标准电平MOSFET，采用TO-220封装
• 74AHCT1G79GV - 单频D型触发器；正沿触发器
• BC847C - 45 V，100 mA NPN通用晶体管
• SCC2691 - 通用异步接收器/发送器(UART)
• BZV55-B3V3 - 稳压器二极管
• PSMN3R3-80BS - N沟道80 V，3.5 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• NX3DV2567HR - 低电阻四刀双掷模拟开关