74AUP1G332提供一个3输入或门。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 uA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• SC26C92 - 双通道通用异步接收器/发送器(DUART)
• PBSS5620PA - 20 V，6 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• IP4283CZ10-TBA - 用于超高速接口的ESD保护
• HEF4104BT - 四路低压至高压转换器，具有3态输出
• BC857AMB - 45 V，100 mA PNP通用晶体管
• 74VHCT245PW - 八进制总线收发器；3态
• PDTC143XMB - NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 10 kΩ
• PESD5V0U1UA - 超低电容单向ESD保护二极管
• TEF6613T - 低中频、免校准模拟汽车无线电调谐器IC
• PZU10B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管