74HC3G06和74HCT3G06是高速硅栅CMOS器件。它们提供三个带开漏输出的反相缓冲器。

74HC3G06和74HCT3G06器件的输出为开漏且可以连接到其它开漏输出以实施低电平有效有线OR或高电平有效有线AND功能。对于数字操作，该器件必须具有一个上拉电阻以建立一个逻辑高电平。

HC器件具有CMOS输入切换电平和2 V至6 V的电源电压范围。

HCT器件具有TTL输入切换电平和4.5 V至5.5 V的电源电压范围。

• 2.0 V至6.0 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 低功耗
• 多种封装选择
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AHC123ABQ - 双可再触发单稳态多谐振荡器，带重置
• PBLS4003Y - 40 V PNP BISS负载开关
• PTVS8V0P1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• BGU6104 - 宽带硅低噪声放大器MMIC
• PQMH2 - NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1?=?47?k?,?R2?=?47?k?
• SL3S1013FTB0 - UCODE G2iM和G2iM+
• 74HC(T)112 - 带设置和复位功能的双频JK触发器；负沿触发器
• PSMN8R2-80YS - N沟道LFPAK 80 V 8.5 m?标准电平MOSFET
• PBSS305PZ - 80 V、4.5 A PNP低V_CEsat (BISS)晶体管
• PCF85263ATT - Tiny Real-Time Clock/calendar with alarm function, battery switch-over, time stamp input, and I2C-bus