74HC3G06和74HCT3G06是高速硅栅CMOS器件。它们提供三个带开漏输出的反相缓冲器。

74HC3G06和74HCT3G06器件的输出为开漏且可以连接到其它开漏输出以实施低电平有效有线OR或高电平有效有线AND功能。对于数字操作，该器件必须具有一个上拉电阻以建立一个逻辑高电平。

HC器件具有CMOS输入切换电平和2 V至6 V的电源电压范围。

HCT器件具有TTL输入切换电平和4.5 V至5.5 V的电源电压范围。

• 2.0 V至6.0 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 低功耗
• 多种封装选择
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PSMN2R0-60ES - N沟道60 V 2.2 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装
• TEA175x - 集成DCM/QR PFC控制器通过高压启动的DCM/QR反激控制器
• PTN3381DBS - 带有电压调节器、加密狗检测且支持3 Gbit/s操作的性能增强型HDMI/DVI电平转换器
• BZX84-B15 - 稳压器二极管
• 74AXP2G17GM - Low-power dual Schmitt trigger
• SCC2691AE1A28 - 通用异步接收器/发送器(UART)
• PESD12VS1ULD - 单向ESD保护二极管
• BUK9E06-55B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PBSS4160DS - 60 V、1 A NPN/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PCMFxUSB3S - Common-mode EMI filter for differential channels with integrated ESD protection