74LVC1G58提供多个可配置的函数。输出状态由3位输入的八个模式确定。用户可选择逻辑函数“与”、“或”、“与非”、“或非”、“异或”、反相器和缓冲器。所有输入可连接至VCC或GND。

输入可从3.3 V器件或5 V器件驱动。该特性允许在3.3 V和5 V混合电压环境中使用该器件。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

所有输入（A、B和C）为施密特触发器输入。它们能够将缓慢变化的输入信号转变为清晰的无抖动输出信号。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 与5 V逻辑器件连接的5 V容压输入/输出
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）。
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V。
• ±24 mA输出驱动（VCC = 3.0 V）
• CMOS低功耗
• 锁存性能超过250 mA
• 直接与TTL电平连接
• 输入接受高达5 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C。

• BAS16VV - 高速开关二极管
• PZU7.5B3 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BUK7623-75A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74AHC1G32GV - 2输入或门
• PZU3.0DB2 - 双倍齐纳二极管
• BLF7G27L-140 - 功率LDMOS晶体管
• PZU2.7B2L - 单倍齐纳二极管
• PMG85XP - 20 V，2 A P沟道Trench MOSFET
• PSMN4R0-40YS - N沟道LFPAK 40 V 4.2 m?标准电平MOSFET
• BLF8G22LS-200GV - 功率LDMOS晶体管