74LVC1G53是低功耗低电压的高速硅栅CMOS器件。

74LVC1G53提供一个模拟多路复用器/解复用器，带一个数字选择输入(S)、两个独立输入/输出（Y0，y1）、一个公共输入/输出(Z)和一个低电平有效使能输入(E)。针脚E为高电平时，开关关闭。

选择输入和使能输入处的施密特触发器动作使电路容许整个1.65 V至5.5 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • VCC = 2.7 V时，7.5 ?（典型值）
  • VCC = 3.3 V时，6.5 ?（典型值）
  • VCC = 5 V时，6 ?（典型值）
• 32 mA的开关电流能力
• 高抗噪性
• CMOS低功耗
• 3.3 V时的接口兼容性
• 闭锁性能满足JESD 78 I类的要求
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 控制输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• PZU3.3B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PESD5V0S4UD - 采用SOT457封装的四倍ESD保护二极管阵列
• PCA9510AD - 可热插拔的I2C总线和SMBus总线缓冲器
• ASC8851AET - 高级1080p/45 fps (93 Mpx/s)高端H.264处理器
• 74LVC823A - 带5 V容压输入/输出的9位D型触发器；正沿触发器（三态）
• BZB84-B9V1 - 双倍齐纳二极管
• PZU27BA - 单倍齐纳二极管
• PMPB29XPE - 20 V，单P沟道Trench MOSFET
• PESD1CAN-U - CAN总线ESD保护二极管
• 74HC27PW - 三路3输入或非门