74AUP2G00提供双路2输入与非功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• BC69PAS - 20 V, 2 A PNP medium power transistors
• BGU8006 - 用于GPS、GLONASS、Galileo和Compass的SiGe:C低噪声放大器MMIC
• SA614AD - 低功耗FM IF系统
• PDTB123YT - PNP 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 10 kOhm
• PDTC143EU - NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 4.7 kΩ
• BC860CW - PNP通用晶体管
• 74LVC16374ABX - 16位边沿触发D型触发器；5 V容压（三态）
• BSR31 - 60 V，1 A PNP中等功率晶体管
• PESD5V0U4BF; PESD5V0U4BW - 超低电容双向四倍ESD保护阵列
• 74LV04DB - 六位元反相器