74LVC1G53是低功耗低电压的高速硅栅CMOS器件。

74LVC1G53提供一个模拟多路复用器/解复用器，带一个数字选择输入(S)、两个独立输入/输出（Y0，y1）、一个公共输入/输出(Z)和一个低电平有效使能输入(E)。针脚E为高电平时，开关关闭。

选择输入和使能输入处的施密特触发器动作使电路容许整个1.65 V至5.5 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • VCC = 2.7 V时，7.5 ?（典型值）
  • VCC = 3.3 V时，6.5 ?（典型值）
  • VCC = 5 V时，6 ?（典型值）
• 32 mA的开关电流能力
• 高抗噪性
• CMOS低功耗
• 3.3 V时的接口兼容性
• 闭锁性能满足JESD 78 I类的要求
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 控制输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• MF1SEP1001DUD - Secure contactless smart card IC for seamless migration
• PSMN7R0-100ES - N沟道100 V 6.8 m?标准电平MOSFET，采用I2PAK封装。
• PCA9535CPW - 带有中断的16位I2C总线和SMBus、低功率I/O端口
• 74HC40105PW - 4位 x 16字FIFO寄存器
• XC7SET86GV - 2输入异或门
• BUK7Y153-100E - N沟道100 V，153 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• 74AHC1G125GM - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• BUK9Y6R0-60E - N-channel 60 V, 6.0 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56
• DFN2020_6_SERIES - Collector-emitter voltage VCEO = 30 V, 60 V and 120 V; collector current IC = 1 A and 2 A
• 74ABT00PW - 四路2输入与非门