74LVC1G38提供一个2输入与非功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将该器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 开漏输出
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+125 °C

• 74AHCT1G79GV - 单频D型触发器；正沿触发器
• TDA8953J - 2 x 210 W D类功率放大器
• PSMN2R2-30YLC - N沟道30 V 2.15 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• 74ABTH162245ADL - 16位总线收发器，具有30 Ohm串联端接电阻（3态）
• BAP64-03 - 硅PIN二极管
• 74LVC2244A - 八位元缓冲器/线路驱动器；30 Ω串联端接电阻；5 V容压输入/输出；3态
• 74CBTLV3125 - 4位总线开关
• SL2S2002FUD - ICODE SLIX
• PESD3V3S4UF; PESD5V0S4UF - 单向四倍ESD保护二极管阵列
• BUK7604-40A - N沟道TrenchMOS标准电平FET