74LVC1G38提供一个2输入与非功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将该器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 开漏输出
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+125 °C

• PESD5V0L4UW - 低电容单向四倍ESD保护二极管阵列
• 74ABT125 - 四路缓冲器；3态
• BC847BS - 45 V，100 mA NPN/NPN通用晶体管
• BUK9Y7R2-60E - N沟道60 V，7.2 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• PDTA123J series - PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• P5CC145UA - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• PZU18BL - 单倍齐纳二极管
• BUK9Y15-60E - N-channel 60 V, 15 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56
• NVT2006BQ - 适用于开漏和推挽应用的双向电压电平变换器
• BZX585-C11 - 稳压器二极管