74AUP1G132提供单路2输入与非施密特触发器功能，可接受标准输入信号。该类器件能将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

输入针对正向和负向信号在不同点进行切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 波形和脉冲整形器
• 无稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• PDTD123TT - NPN 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路
• 74HCT4066DB - 四路单刀单掷模拟开关
• 74HCT151D - 8输入多路复用器
• PDTA123YT - PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 10 kOhm
• 74LVT2244PW - 3.3V八位元缓冲器/线路驱动器，具有30 Ohm串联端接电阻（3态）
• 74AHC3G04GD - 反相器
• BAV23 - 两个高压开关二极管
• 74AHC595D - 8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器，带输出锁存器
• PDTA124XM - PNP配电阻晶体管；R1 = 22 kOhm，R2 = 47 kOhm
• PBSS4032NZ - 30 V，4.9 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管