74AUP1G132提供单路2输入与非施密特触发器功能，可接受标准输入信号。该类器件能将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

输入针对正向和负向信号在不同点进行切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 波形和脉冲整形器
• 无稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• PCAL9539A - 带有中断和复位的低电压16位I2C总线和SMBus低功率I/O端口
• 74AUP1G332GW - 低功耗3输入或门
• 74HC373D - 八进制D型透明锁存器；3态
• MMBZ20VCL - 用于瞬态过压抑制的双ESD保护二极管
• PDTA113ZM - PNP配电阻晶体管；R1 = 1 kOhm，R2 = 10 kOhm
• 74ABT00PW - 四路2输入与非门
• SL2S1502FUD - ICODE ILT
• BLF7G27L(S)-75P - 功率LDMOS晶体管
• 74AVCM162835DGG - 18位寄存驱动器，具有15 ?端接电阻（3态）
• 74HCT138BQ - 3至8线路解码器、解复用器；反相