74LVC1G38提供一个2输入与非功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将该器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 开漏输出
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+125 °C

• BLF8G22LS-270 - 功率LDMOS晶体管
• PMPB33XN - 30 V 单N沟道Trench MOSFET
• PMZB390UNE - 30 V, N-channel Trench MOSFET
• 74LVTN16244BBX - 3.3 V 16位缓冲器/驱动器；3态
• 74ALVC374 - 八频D型触发器；正沿触发器（三态）
• PMXB65UPE - 12 V，P沟道Trench MOSFET
• PESD5V0L5UV - 低电容单向五倍ESD保护二极管阵列
• PN5120A0ET - Full NFC Forum Compliant Solution
• 74LVT162373DGG - 3.3 V LVT 16位D型透明锁存器，具有30 Ohm端接电阻（3态）
• PESD3V3U1UB - 超低电容单向ESD保护二极管