74LVC1G34提供一个低功耗、低电压的单路缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路高度容许较慢的输入上升和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）。
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• MF1S5031XDUD - MIFARE Classic 1K - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
• PDTA143TM - PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kOhm，R2 = 开路
• PEMH14; PUMH14 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 开路
• 74AHC3GU04DC - 反相器
• 74AHC273PW - 带复位功能的八频D型触发器；正沿触发器
• BC847A - 45 V，100 mA NPN通用晶体管
• 74ABT32PW - 四路2输入或门
• PSMN015-110P - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• GTL2002D - 2位双向低电压变换器
• BUK7Y98-80E - N沟道80 V，98 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装