74LVC1G34提供一个低功耗、低电压的单路缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路高度容许较慢的输入上升和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）。
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AVCM162835DGG - 18位寄存驱动器，具有15 ?端接电阻（3态）
• BUK7214-75B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74HC688D - 8位量值比较器
• 74HC(T)368 - 六位元缓冲器/线路驱动器；3态；反相
• 74AHCT245BQ - 八进制总线收发器；3态
• PMPB40SNA - 60 V N沟道Trench MOSFET
• PESD12VL2BT - 采用SOT23封装的低电容双向双ESD保护二极管
• BUK7E8R3-40E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PEMB18 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 10 kΩ
• PZU9.1BA - 单倍齐纳二极管