74LVC1G332提供一个3输入或功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许将这些器件用作混合3.3 V和5 V应用中的转换器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。

IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-C超过1000 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PDTC114Y series - NPN配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ
• 1PS302 - 两个高速开关二极管
• 74AHCT1G17GW - 单频施密特触发缓冲器
• BGU8H1UK - SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for LTE
• BUK6607-55C - N沟道TrenchMOS逻辑和标准电平FET
• 1PS76SB70 - 通用肖特基二极管
• 74AXP1G14GX - 低功耗施密特触发反相器
• CLF1G0060(S)-10 - 宽带RF功率GaN HEMT
• BGU7005 - 用于GPS、GLONASS、Galileo和Compass的SiGe:C LNA MMIC
• 74HC02PW - 四路2输入或非门