74LVC1G332提供一个3输入或功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许将这些器件用作混合3.3 V和5 V应用中的转换器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。

IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-C超过1000 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BZV49-C2V7 - 稳压器二极管
• 74LVC1G74DP - 带设置和复位功能的单频D型触发器；正沿触发器
• PUSBMxX4-TL series - 高速USB OTG ESD保护二极管阵列
• 74AVC16244DGG - 16位缓冲器/线路驱动器；3态（3.6 V容压）
• BUK7K89-100E - Dual N-channel 100 V, 82.5 mΩ standard level MOSFET
• PEMI4CSP-RW - 集成式4、6和8通道无源滤波器网络，带ESD保护
• BLP8G27-10 - Power LDMOS transistor
• PCA9542A - 2通道I2C总线多路复用器和中断逻辑
• PDTD123ET - NPN 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm
• PZU10B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管