74LVC1G32提供一个2输入或功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许将这些器件用作混合3.3 V和5 V应用中的转换器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BZT52H-C62 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PDTC144V series - NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 10 kOhm
• 74AHCT377D - 带数据使能的八频D型触发器；正沿触发器
• PSMN5R5-60YS - N沟道LFPAK 60 V，5.2 mΩ标准电平FET
• MF0ULH2101DUD - MIFARE Ultralight EV1 - 非接触式票证IC
• BLF10M6135 - 功率LDMOS晶体管
• PBSM5240PF - 40 V，2 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管，具有N沟道Trench MOSFET
• 74LVC04AD - 六位元反相器
• BUK9Y12-40E - N-channel 40 V, 12 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56
• BUK6C3R3-75C - N沟道TrenchMOS中间电平FET