74LVC1G32提供一个2输入或功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许将这些器件用作混合3.3 V和5 V应用中的转换器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BZB84-B20 - 双倍齐纳二极管
• PZU8.2B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• 74AHC126D - 四路缓冲器/线路驱动器；3态
• BC51-16PA - 45 V，1 A PNP中等功率晶体管
• PMDPB70XPE - 20 V双P沟道Trench MOSFET
• BUK754R0-55B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PDTA114Y series - PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ
• 74HCT7540D - 八进制施密特触发缓冲器/线路驱动器；3态；反相
• SSL5237BTE - 紧凑型高功率因素可调光LED驱动器
• 74LVC2G34GS - 双路缓冲器门