74AUP2G08提供双路2输入与功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74LVC3G17 - 三路非反相施密特触发器，带5 V容压输入
• BUK763R8-80E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BZX84J-C13 - 单倍齐纳二极管
• NCX2220GT - 低压比较器
• PEMD17; PUMD17 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 22 kOhm
• BZB84-B15 - 双倍齐纳二极管
• PHPT610030NPK - NPN/PNP high power double bipolar transistor
• KMI16 - 集成式转速传感器
• 1PS70SB86 - 肖特基势垒（双）二极管
• PMV40UN2 - 30 V，N沟道Trench MOSFET