74ALVT16821高性能双极补充金属氧化半导体（BiCMOS）器件结合了低静态和动态功耗以及高速和高输出驱动能力。它设计用于I/O 兼容性高达5 V、在2.5 V或3.3 V电压下进行VCC操作。

74ALVT16821具有两个10位边沿触发寄存器，每个寄存器都耦合到一个三态输出缓冲器。每个寄存器的两个部分由时钟（nCP）和输出使能（nOE）控制逻辑门独立控制。

每个寄存器为完全边沿触发。在时钟从低到高转换前的某个建立时间，每个D输入的状态会被传输到相应的触发器Q输出。

三态输出缓冲器设计用于驱动重负载三态总线、MOS存储器或MOS微处理器。

有源低电平输出使能（nOE）可控制所有十个不受寄存器操作影响的三态缓冲器。nOE为低电平时，寄存器内的数据会出现在输出处。nOE为高电平时，输出处于高阻抗“关断”状态，这表示这些输出既不能驱动也不能加载总线。

• 20位正沿触发寄存器
• 可兼容5 V I/O
• 多个Vcc引脚和GND引脚可最大程度降低开关噪声
• 总线保持数据输入无需用外部上拉电阻来保持闲置输入
• 允许带电插拔
• 上电复位
• 上电三态
• 输出能力：+64 mA和-32 mA
• 锁存保护：
  • JESD78：超过500 mA
• ESD保护：
  • MIL STD 883, method 3015：超过2000 V
  • 机器模型：超过200 V

• 74ABT16240ADGG - 16位反相缓冲器/线路驱动器；3态
• 74LVC2G00 - 双路2输入与非门
• 74LVC14APW - 十六进制反相施密特触发器，带5 V容压输入
• 74HC423BQ - 双可再触发单稳态多谐振荡器，带重置
• BZT52H-B5V1 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• 74LVC2T45GT - 双电源转换收发器；3态
• BUK7109-75AIE - N沟道TrenchPLUS标准电平FET
• BZB784-C11 - 双倍稳压器二极管
• PDTC143ET - NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 4.7 kΩ
• 74LVC1G32 - 单路2输入或门