74LVC1G17提供带施密特触发器输入的缓冲器功能。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰的输出。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 无限上升和下降时间
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PZU3.6DB2 - 双倍齐纳二极管
• 74AHCT1G02GW - 2输入或非门
• PSMN2R2-40BS - N沟道40 V 2.2 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• 74HC(T)3G07 - 三路缓冲器，带开漏输出
• PSMN4R1-30YLC - N沟道30 V 4.35m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• BSR30; BSR31; BSR33 - PNP中等功率晶体管
• 74LVC373APW - 八进制D型透明锁存器，具有5 V容压输入/输出；3态
• TDA8953TH - 2 x 210 W D类功率放大器
• PMEG3020CPAS - 30 V, 2 A low VF dual MEGA Schottky barrier rectifier
• PDTD123Y series - NPN 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 10 kOhm