74LVC1G123是带施密特触发器输入的单可重触发单稳态多谐振荡器。输出脉冲宽度的控制通过三种方法实现：

基本脉冲通过选择外部电阻(REXT)和电容(CEXT)进行编程。 一旦触发，基本输出脉冲宽度可通过再触发门控低电平有效边沿输入(A)或高电平有效边沿输入(B)进行扩展。重复这一过程，就可按需形成输出脉冲周期（Q为高电平）。或者，输出延迟可通过输入CLR上的低电平沿随时终止，其还可抑制触发。 从CLR到输入门的内部连接使其可通过输入CLR处的高电平沿信号触发电路。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将这些器件用作转换器。施密特触发器输入使电路高度容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 从高电平有效或低电平有效输入触发的直流
• 针对占空系数高达100 %的极长脉冲可再触发
• 直接复位可终止输出脉冲
• 所有输入上的施密特触发器
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• 输出上的上电复位
• 闭锁性能超过100 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5.5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PSMN3R4-30BL - N沟道30 V 3.3 m?逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装
• 74AUP3G34GD - 低功耗三路缓冲器
• PHB45NQ15T - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BZV49-C3V3 - 稳压器二极管
• 74CBTLV3257 - 四路2选1多路复用器/解复用器
• 74AVCM162836DGG - 20位寄存驱动器，具有倒相寄存器使能和15?Ω端接电阻（3态）
• PZU12B2A - 单倍齐纳二极管
• 74LVTH16245BDL - 3.3 V 16位收发器；3态
• PHP225 - 双P沟道中间电平FET
• 74AXP1T57 - Dual supply configurable multiple function gate