74LVC1G11提供一个单路3输入与门。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路高度容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74HCT273BQ - 带复位功能的八频D型触发器；正沿触发器
• BZX84-B36 - 稳压器二极管
• PDTA114EU - PNP配电阻晶体管；R1 = 10 k?；R2 = 10 k?
• PDTA123YU - PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 10 kOhm
• BZV90-C56 - 稳压器二极管
• 74AUP2G58GU - Low-power dual PCB configurable multiple function gate
• PMDXB1200UPE - 30 V, dual P-channel Trench MOSFET
• BZT52H-B47 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PEMB15; PUMB15 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 4.7 kΩ
• BUK763R4-30B - N沟道TrenchMOS标准电平FET