74LVC1G08提供一个2输入与功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许将这些器件用作混合3.3 V和5 V应用中的转换器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能≤ 250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74LVTH244BD - 3.3 V八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• PZU4.7B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PZU30BA - 单倍齐纳二极管
• PCF2123TS - SPI实时时钟/日历
• NZX2V7A - 单倍齐纳二极管
• PSMN3R4-30PL - N沟道30 V 3.4 m?逻辑电平MOSFET
• NX3L2267SGU - 低电阻双单刀双掷模拟开关
• PSMN085-150K - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• 74LVC06AD - 六位元反相器，带开漏输出
• PCA9554BPW - 带有中断、弱上拉的低电压8位I2C总线和SMBus低功率I/O端口