74AXP1G00是单路2输入与非门。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.7 V至2.75 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。它完全针对使用IOFF的局部掉电应用而设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时潜在破坏性回流电流通过该器件。

• 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
• 低输入电容；CI = 0.5 pF（典型值）
• 低输出电容；CO = 1.0 pF（典型值）
• 低动态功耗；CPD = 2.5 pF，VCC = 1.2 V（典型值）时
• 低静态功耗；ICC = 0.6 μA（85 °C最大 ）
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12A.01（1.1 V至1.3 V）
  • JESD8-11A.01（1.4 V至1.6 V）
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A.01（2.3 V至2.7 V）
• ESD保护：
  • HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达2.75 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围：?40 °C至+85 °C

• PDTD143ET - 500 mA, 50 V NPN配电阻晶体管
• PESD3V3U1UT - 采用SOT23封装的超低电容ESD保护二极管
• PMEG4010CEH; PMEG4010CEJ - 1 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• 74HC3G16DP - 三路缓冲器门
• SL3S1214 - UCODE 7m
• PEMD10; PUMD10 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• 74AUP1Z04GM - 低功耗晶体驱动器，带使能和内部晶体管
• 74HCT3G34GD - 三路缓冲器门
• BLF640 - 宽带功率LDMOS晶体管
• UJA1076ATW - 高速CAN核心系统基础芯片