74LVC1G04提供一个反相缓冲器。

输入可以从3.3 V或5 V器件驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

所有输入处施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围从-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C。

• BUK9Y25-80E - N沟道80 V，27 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• 74HC273DB - 带复位功能的八频D型触发器；正沿触发器
• BUK9E04-40A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• BZX884-C20 - 稳压器二极管
• 74HCT4075D - 三路3输入或门
• NZX16B - 单倍齐纳二极管
• BCV72 - NPN通用晶体管
• MMBZ33VCL - 用于瞬态过压抑制的双ESD保护二极管
• BUK7K13-60E - Dual N-channel 60 V, 10 mΩ standard level MOSFET
• PTVS11VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器