74LVC1G00提供单路2输入与非功能。

输入可以从3.3 V或5 V器件驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PBSS5230T - 30 V，2 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PMSTA05; PMSTA06 - 500 mA NPN通用晶体管
• A7005CAHN1 - 安全验证微控制器
• PCA9508DP - 可热插拔的电平变换I2C总线转发器
• PZU14B2A - 单倍齐纳二极管
• BZX84J-C11 - 单倍齐纳二极管
• 74AHC(T)377 - 带数据使能的八频D型触发器；正沿触发器
• PUMD3 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1?=?10?kΩ，?R2?=?10?kΩ
• PSMN1R3-30YL - N沟道30 V 1.3 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装
• PDTA113EU - PNP配电阻晶体管；R1 = 1 kOhm，R2 = 1 kOhm