74LVC14A提供六个带施密特触发器输入的反相缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入针对正向和负向信号在不同点进行切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许将该器件用作混合3.3 V和5 V应用中的转换器。

• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• 无限输入上升和下降时间
• 输入可接受高达5.5 V的电压
• 符合JEDEC标准JESD8-C/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-B超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 适用于高噪声环境的波形和脉冲整形器
• 非稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• PBSS303PD - 60 V、3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PMEG2020EPAS - 20 V, 2 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier
• 74AHCT1G79GW - 单频D型触发器；正沿触发器
• SSL5255TE - Compact high power factor dimmable LED driver IC with integrated 450 V, 5 Ω Mosfet (v2)
• PZU18B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PZU18BA - 单倍齐纳二极管
• NZX3V6A - 单倍齐纳二极管
• PEMD3 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1?=?10?kΩ，?R2?=?10?kΩ
• PMPB85ENEA - 60 V，单N沟道Trench MOSFET
• BC847CQA - 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors