74AVC1T45是带3态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换。该器件具有两个1位输入输出端口（A和B）、一个方向控制输入(DIR)和双电源针脚（VCC(A)和VCC(B)）。VCC(A)和VCC(B)都可以是0.8 V和3.6 V之间的任何电压，因此该器件适用于任何低压节点（1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V和3.3 V）之间的转换。针脚A和DIR以VCC(A)为基准，针脚B以VCC(B)为基准。DIR上的高电平允许从A传输到B，而DIR上的低电平则允许从B传输到A。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时任何破坏性回流电流通过该器件。在挂起模式下，只要VCC(A)或VCC(B)这两者之一处于GND电平，A和B就都处于高阻抗关断状态。

• 宽电源电压范围：
  • VCC(A)：0.8 V至3.6 V
  • VCC(B)：0.8 V至3.6 V
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E 3B类超过8000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101C超过1000 V
• 最大数据速率：
  • 500 Mbit/s（1.8 V至3.3 V转换）
  • 320 Mbit/s（< 1.8 V至3.3 V转换）
  • 320 Mbit/s（转换为2.5 V或1.8 V）
  • 280 Mbit/s（转换为1.5 V）
  • 240 Mbit/s（转换为1.2 V）
• 挂起模式
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74LVC541AD - 八位元缓冲器/线路驱动器，带5 V容压输入/输出；3态
• SC16C652BIB48 - 5 V、3.3 V和2.5 V的双通道UART，5 Mbit/s（最快），带有32字节FIFO以及红外(IrDA)编码器/解码器
• PESD5V0U1UA - 超低电容单向ESD保护二极管
• PSMN7R5-30MLD - N沟道30 V，7.5 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装，使用NextPowerS3技术
• BZT52H-C6V2 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• 74HCT4051BQ - 8通道模拟多路复用器/解复用器
• 2N7002BKS - 60 V，300 mA双N沟道Trench MOSFET
• 74HC4046ADB - 锁相环，具有VCO
• 74AVC16835A - 18位寄存驱动器，具有Dynamic Controlled Outputs(TM)（3态）
• IP4264CZ8-10/20/40-TTL - 集成式(U)SIM卡无源滤波器阵列，带ESD保护