74LVC132A提供四个带施密特触发器输入的2输入与非门。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入针对正向和负向信号在不同点进行切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许将这些器件用作混合3.3 V和5 V环境中的转换器。

• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• 无限输入上升和下降时间
• 输入可接受高达5.5 V的电压
• 符合JEDEC标准JESD8-C/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-B超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 适用于高噪声环境的波形和脉冲整形器
• 非稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• BAT854W series - 双倍肖特基势垒二极管
• PBSS4230PANP - 30 V，2 A NPN/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• BUK9875-100A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• BZV90-C36 - 稳压器二极管
• 74HCT4051DB - 8通道模拟多路复用器/解复用器
• 74LVC2G241GN - 双路缓冲器/线路驱动器；3态
• 74AVC16834ADGG - 18位寄存驱动器，具有倒相寄存器使能和Dynamic Controlled Outputs(TM)（3态）
• BCW60D - NPN通用晶体管
• 74LVC1G11GN - 单路3输入与门
• BUK7K6R8-40E - 双N沟道40 V，6.8 m?标准电平MOSFET