74LVC126A由四个带3态输出的非反相缓冲器/线路驱动器组成，由输出使能输入(nOE)进行控制。nOE处的低电平使输出呈高阻抗关断状态。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。禁用时，可以向输出施加高达5.5 V的电压。

• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5.5 V的电压
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-C/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-B超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• SC16IS740/750/760 - 带有I2C总线/SPI接口、64字节发送和接收FIFO以及IrDA SIR内置式支持的单通道UART
• PSMN0R9-30YLD - N沟道30 V，0.87 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术
• BF1108R - 硅RF开关
• 74AHC373D - 八进制D型透明锁存器；3态
• HEF4002BT - 双路4输入或非门
• PZU7.5B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BAT85 - 单倍肖特基势垒二极管
• BLA6H0912L(S)-1000 - LDMOS航空电子功率晶体管
• 74LVC1GU04GM - 非缓冲反相器
• PXT2907A - PNP开关晶体管