74AXP1G125是具有三态输出的单路缓冲器/线路驱动器。

所有输入的施密特触发器动作使电路高度容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保0.7 V至2.75 V的整个VCC范围内的极低静态和动态功耗。它完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成潜在损坏。

• 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
• 低输入电容；CI = 0.5 pF（典型值）
• 低输出电容；CO = 1.0 pF（典型值）
• 低动态功耗；VCC = 1.2 V时CPD = 2.5 pF（典型值）
• 低静态功耗；ICC = 0.6 μA（最大85 °C）
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12A.01（1.1 V至1.3 V）
  • JESD8-11A.01（1.4 V至1.6 V）
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A.01（2.3 V至2.7 V）
• ESD保护：
  • HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达2.75 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C

• 74AUP2G79GT - 低功耗双频D型触发器；正沿触发器
• PSMN005-30K - N沟道TrenchMOS SiliconMAX逻辑电平FET
• BCV26; BCV46 - PNP达林顿晶体管
• PMP5201V - PNP/PNP匹配双晶体管
• BUK9660-100A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PBLS6001D - 60 V PNP BISS负载开关
• BFU725F - NPN宽带硅锗RF晶体管
• NTB0102DP - 双电源转换收发器；自动方向感应；3态
• 74LVC374APW - 带5 V容压输入/输出的八频D型触发器；正沿触发器（三态）
• 74HCT40105DB - 4位 x 16字FIFO寄存器