74HC595；74HCT595是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。该类器件的规格符合JEDEC标准No. 7A。

74HC595；74HCT595是带存储寄存器和3态输出的8级串行移位寄存器。这类寄存器具有单独的时钟。

数据在移位寄存器时钟输入(SHCP)正向跃迁时移位。每个寄存器中的数据都在存储寄存器时钟输入(STCP)正向跃迁时被传输到存储寄存器。如果两个时钟连在一起，则移位寄存器将总是比存储寄存器超前一个时钟脉冲。

移位寄存器具有用于级联的一个串行输入(DS)和一个串行标准输出(Q7S)。该器件还针对所有8个移位寄存器级提供异步复位（低电平有效）。该存储寄存器具有8个平行3态总线驱动器输出。输出使能输入(OE)为低电平时，存储寄存器中的数据出现在输出处。

• 8位串行输入
• 8位串行或并行输出
• 存储寄存器，带3态输出
• 移位寄存器，带直接清零
• 100 MHz（典型值）移出频率
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 串行到并行数据转换
• 遥控保持寄存器

• BZT52H-C15 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PBSS5130T - 30 V；1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PDTD113ZT - NPN 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 1 kOhm，R2 = 10 kOhm
• PBSS302PD - 40 V、4 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74AHC1G79GW - 单频D型触发器；正沿触发器
• PTVSxP1UTP series - 高温600 W瞬态电压抑制器
• PCA9554AD - 带有中断的8位I2C总线和SMBus I/O端口
• PBSS5250X - 50 V、2 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• NX3008PBKV - 30 V，220 mA双P沟道Trench MOSFET
• BF996S - N沟道双栅极MOSFET