74LV4051是8通道模拟多路复用器/解复用器，带三个数字选择输入（S0至S2）、一个低电平有效使能输入(E)、八个独立输入/输出（Y0至Y7）和一个公共输入/输出(Z)。该低压硅栅CMOS器件与74HC4051和74HCT4051针脚和功能兼容。E为低电平时，通过S0至S2选择八个开关之一（低阻抗导通状态）。E为高电平时，无论S0至S2如何，所有开关都处于高阻抗关断状态。

VCC和GND是适用于数字控制输入（S0至S2以及E）的电源电压针脚。VCC至GND的范围为1.0 V至6.0 V。模拟输入/输出（Y0至Y7以及Z）可在作为正极限的VCC和作为负极限的VEE之间波动。VCC- VEE不得超过6.0 V。对于作为数字多路复用器/解复用器的操作，VEE 连接到GND（通常为接地）。

• 最适合低压应用：1.0 V至6.0 V
• 接受介于VCC = 2.7 V和VCC = 3.6 V之间的TTL输入电平
• 低导通电阻：
  • VCC - VEE = 2.0 V时，145 ?（典型值）
  • VCC - VEE = 3.0 V时，80 ?（典型值）
  • VCC - VEE = 4.5 V时，60 ?（典型值）
• 逻辑电平转换：
  • 实现3 V逻辑与±3 V模拟信号的通信
• 典型的“先断后通式”结构
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PSMN038-100YL - N沟道100 V 37.5 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• 74HC191DB - 可预置同步4位二进制上行/下行计数器
• NVT4555UK - SIM card interface level translator and supply voltage LDO
• 74LVTN16244BBX - 3.3 V 16位缓冲器/驱动器；3态
• PESD5V0S1BLD - 低电容双向ESD保护二极管
• 74HC4060BQ - 14级二进制纹波计数器，带振荡器
• PEMD16 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 22 k Ohm, R2 = 47 k Ohm
• 74LVC32245AEC - 32位总线收发器，具有方向针脚；5 V容压；3态
• PESD5V0V1BL - 极低电容双向ESD保护二极管
• PSMN038-100K - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET